. . . =انشكاه پیام نور کارشناسی
--- - - - - டிய கள்: مرکز آزمون و سنجش حضرت علی(ع): ارزش هر کسی به میزان دانایی و تخصصی اوست
تعداد سوالات : تستی : ۲۵ تشریحی : ۵ زمان آزمون (دقیقه) : تستی : ۶۰ تشریحی : ۶۰ سری سوال : یک ۱
عن-وان درس : الکترونیک ۱، مدارهای الکترونیکی رشته تحصیلی /کد درس : - مهندسی کامپیوتر(نرم افزار)، مهندسی کامپیوتر-نرم افزار(چند بخشی )، مهندسی کامپیوتر(سخت افزار) چندبخشی ۱۱۱۵۰۷۰ مهندسی مدیریت اجرایی (چند بخشی ) ۱۳۱۱۰۲۰ - ، مهندسی پزشکی - بالینی، مهندسی برق -قدرت، مهندسی برق - مهندسی،
پزشکی (بیوالکتریک)، مهندسی برق - کنترل، مهندسی برق - مخابرات، مهندسی برق - الکترونیک ۱۳۱۹۰۱۹ - ، مهندسی رباتیک ۱۳۱۹۰۳۶
استفاده از ماشین حساب مهندسی مجاز است ۱- برای استفاده از خاصیت تقویت کنندگی ترانزیستور، این عنصر باید در چه ناحیه ای بایاسی شود؟ ۱. قطع ۲. فعال معکوس ۳. اشباع ۴. فعالی
۲- از کدام تقویت کننده می توان به عنوان بافر استفاده نمود؟ ۱. امیتر مشترک
۲. کلکتور مشترک ۳. بیس مشترک
آ، از هیچ تقویت کننده ای نمی توان به صورت بافر استفاده نمود. ۳- هدف از اضافه کردن یک ترانزیستور به مدار اول و تبدیل آن به مدار دوم کدام است؟ V
CC Re joc VS Rթ 1 2 ۱. افزایش مقاومت خروجی ۲. افزایش مقاومت ورودی ۲. افزایش بهره مدار ۴. کاهش بهره مدار
۴- کدام عبارت در مورد ترانزیستورهای اثر میدان صحیح است؟ ۱. برای روشن شدن این ترانزیستور، پیوند گیت- سورس آن باید به صورت مستقیم بایاس شود. ۲. حرکت حاملهای بار از درین به سورس است. ۳. یک منبع ولتاژ کنترل شونده با جریان است. ۴. در این ترانزیستورها، جریان الکتریکی، تنها ناشی از حاملهای اکثریت کانال است.
\·W·/W·}·*·入
نیمسال دوم ۹۱-۱۳۹۰ = صفحه ۱ از ۱۱



***
. . .
: کارشناسی --- - - - டிய கள்: مرکز آزمون و سنجش حضرت علی(ع): ارزش هر کسی به میزان دانایی و تخصصی اوست تعداد سوالات : تستی : ۲۵ تشریحی : ۵ زمان آزمون (دقیقه) : تستی : ۶۰ تشریحی : ۶۰ سری سوال : ۱ یک
عن-وان درس : الکترونیک ۱، مدارهای الکترونیکی رشته تحصیلی /کد درس : مهندسی کامپیوتر(نرم افزار)، مهندسی کامپیوتر-نرم افزار(چند بخشی )، مهندسی کامپیوتر (سخت افزار) چند بخشی ۱۱۱۵۰۷۰ - ، مهندسی مدیریت اجرایی (چند بخشی ) ۱۳۱۱۰۲۰ - ، مهندسی پزشکی - بالینی، مهندسی برق - قدرت، مهندسی برق - مهندسی پزشکی (بیوالکتریک)، مهندسی برق - کنترل، مهندسی برق - مخابرات، مهندسی برق - الکترونیک ۱۳۱۹۰۱۹ - ، مهندسی رباتیک ۱۳۱۹۰۳۶
( V,, = 3W( ترانزیستور زیر در کدام ناحیه بایاس شده است؟ —A
5 V" ) ... تریود Y قطع ۳. اشباع f اطلاعات داده شده کافی نمی باشد. (I Dss = 4m/A 2 Vp |= 2v) ۶- ولتاژ خروجی در مدار زیر چند ولت است؟ 10 Ꮃ 0 V هـ
i. 2 .x.
\·W·/W·}·*·入
نیمسال دوم ۹۱-۱۳۹۰ صفحه ۲ از ۱۱


***
. . .
: کارشناسی --- - - - டிய கள்: مرکز آزمون و سنجش حضرت علی(ع): ارزش هر کسی به میزان دانایی و تخصصی اوست تعداد سوالات : تستی : ۲۵ تشریحی : ۵ زمان آزمون (دقیقه) : تستی : ۶۰ تشریحی : ۶۰ سری سوال : ۱ یک
عن-وان درس : الکترونیک ۱، مدارهای الکترونیکی
رشته تحصیلی /کد درس : مهندسی کامپیوتر(نرم افزار)، مهندسی کامپیوتر-نرم افزار(چند بخشی )، مهندسی کامپیوتر (سخت افزار) چند بخشی ۱۱۱۵۰۷۰ - ، مهندسی مدیریت اجرایی (چند بخشی ) ۱۳۱۱۰۲۰ - ، مهندسی پزشکی - بالینی، مهندسی برق - قدرت، مهندسی برق - مهندسی پزشکی (بیوالکتریک)، مهندسی برق - کنترل، مهندسی برق - مخابرات، مهندسی برق - الکترونیک ۱۳۱۹۰۱۹ - ، مهندسی رباتیک ۱۳۱۹۰۳۶
W— مقاومت ورودی مدار زیر کدام است؟
Rg Rs . Y. () Y Co . Y. R6; ... ) Rq + Rs
A— کدام گزینه صحیح است؟ ۱. نیمه هادیها در دمای صفر مطلق مانند عایق عمل می کنند. آن جریان هدایتی، ناشی از عدم یکنواختی تراکم حاملهای بار الکتریکی در نیمه هادی است. ۳. عرضی ناحیه تهی پیوند RN در حالت بایاس مستقیم افزایش می یابد.
۴. جریان اشباع معکوس پیوند PN ناشی از حاملهای اکثریت است.
۹- کدام گزینه صحیح می باشد؟ ) ... قابلیت تحرک حفره بیشتر از الکترون می باشد. ۲. بارهای مقید هسته های اتم های نیمه هادی در ایجاد جریان دخالتی ندارند. ۳. با افزایش دما رسانایی نیمه هادیها کاهش می یابد.
۴. با تزریق اتم های ناخالصی نوع N به یک نیمه هادی تعداد الکترونها کاهش و حفره ها افزایش می یابد.
۱۰- در نیمه هادی نوع P که در آن "10 = N و "10 = m، چگالی الکترونهای آزاد آن کدام است؟
. Y.
1016 104 " 106 " 1010 )
= صفحه ۳ از ۱۱
۱۰۱۰/۱۰۱۰۴۰۸ = نیمسال دوم ۹۱-۱۳۹۰

***
. . .
: کارشناسی --- - - - டிய கள்: مرکز آزمون و سنجش حضرت علی(ع): ارزش هر کسی به میزان دانایی و تخصصی اوست تعداد سوالات : تستی : ۲۵ تشریحی : ۵ زمان آزمون (دقیقه) : تستی : ۶۰ تشریحی : ۶۰ سری سوال : ۱ یک
عن-وان درس : الکترونیک ۱، مدارهای الکترونیکی رشته تحصیلی /کد درس : مهندسی کامپیوتر(نرم افزار)، مهندسی کامپیوتر-نرم افزار(چند بخشی )، مهندسی کامپیوتر (سخت افزار) چند بخشی ۱۱۱۵۰۷۰ - ، مهندسی مدیریت اجرایی (چند بخشی ) ۱۳۱۱۰۲۰ - ، مهندسی پزشکی - بالینی، مهندسی برق - قدرت، مهندسی برق - مهندسی پزشکی (بیوالکتریک)، مهندسی برق - کنترل، مهندسی برق - مخابرات، مهندسی برق - الکترونیک ۱۳۱۹۰۱۹ - ، مهندسی رباتیک ۱۳۱۹۰۳۶
۱۱- کدام گزینه صحیح است؟ . جریان دیود و سطح مقطع آن رابطه عکس دارند.
۲. ولتاژ شکست دیود به غلظت ناخالصی پیوند RN دیود بستگی دارد.
۳. در شکست زنر با افزایش دما اندازه ولتاژ افزایش می یابد.
t
با افزایش ولتاژ معکوس دیود، جریان از I S بسیار بزرگتر می شود. ۱۲- در مدار زیر مقاومت دینامیکی دیود چند اهم است؟ ((۱ VT = 26m,2 = 17 و 0.7 = VD)
23a*
---- " تc5.2 t 4.8 . Wo 2.6 Y 930 . )
۱۳- در مدار زیر همه دیودها دارای مشخصه (6 = چV و 1م??/2=min. =/ می باشند، این مدار معادل با یک
دیود زنر با کدام مشخصه است؟
I. „; „ = 2mA , V. = 6w ‘ I. „ = 6mA , V. = 6v -^ I. „ = 2mA , V. =18o -‘ I. „ = 6mA , V. =18w ‘ W·/W·}·*·入·\ نیمسال دوم ۹۱-۱۳۹۰ صفحه ۴ از ۱۱


***