. . . =انشكاه پیام نور کارشناسی مرکز آزمون و سنجش
حضرت علی(ع): ارزش هر کسی به میزان دانایی و تخصصی اوست
so
تعداد سوالات : تستی : ۲۰ تشریحی : ۴ زمان آزمون (دقیقه) : تستی : ۶۰ تشریحی : ۶۰ سری سوال : یک ۱ عنوان درس : فیزیک قطعات نیمه رسانا۱ رشته تحصیلی / کد درس : فیزیک (حالت جامد) ۱۱۱۳۰۳۸
استفاده از ماشین حساب ساده مجاز است
۱- کدام عبارت صحیح نیست؟
۱. نیمرساناها در دماهای پایین نظیر عایق ها و در دماهای زیاد نظیر رساناها رفتار می کنند. ۲. جرم موثر یک الکترون رسانش با جرم الکترونی یک الکترون آزاد در خلاء متفاوت است.
۳. پایین ترین کمینه نوار رسانش در سیلیسیوم در تکانه صفر مستقیما در بالای بیشینه نوار ظرفیت قرار گرفته است.
انرژی گاف نوار بE تفاضل بین پایین ترین کمینه نوار رسانش و بیشینه نوار ظرفیت است.
۲- کدام عبارت صحیح نیست؟
۱. در نیمرسانای مطالقا خالصی و کامل تراکم الکترون ها و حفره ها یکسان است.
۲. رسانش الکتریکی در یک نیمرسانا توسط انتقال الکترون های باردار منفی در نوار رسانش و انتقال حفره های باردار مثبت در نوار ظرفیت صورت می گیرد.
" در نیمرساناها انرژی گاف نوار بE کمتر از ۵ الکترون ولت است. ۴. در نیمرساناهای غیر ذاتی که نوع II نامیده می شوند، تراکم حفره ها به مراتب زیادتر از تراکم الکترون ها است. ۳- حاصلضرب O11 در یک نیمرسانا در یک دمای معلوم و تحت تعادل گرمایی به کدام یک از عوامل زیر بستگی دارد؟ ۱. چگالی حالت های انرژی مجاز ۲. چگالی ناخالصی ۳. مکان تراز فرمی ۴. نوع L1 یا D بودن نیمرسانا ۴- کدام عبارت صحیح است؟ ۱. چگالی حامل ذاتی برای نیمرسانایی که انرژی گاف نوار بزرگتری دارد، بزرگتر است. ۲. اگر جرم موثر الکترون و حفره مساوی باشند تراز فرمی ذاتی در وسط گاف ممنوع واقع خواهد شد. ۳. حفره در نیمرسانای نوع 11 حامل اکثریتی است. ۴. وقتی تراکم ناخالصی خیلی کم باشد و به چگالی موثر حالت ها نزدیک شود تراز فرمی برE منطبق می شود. ۵- کدام گزینه تعریف صحیحی از فرآیند باز ترکیب ارائه می دهد؟ ۰۱گذار الکترون از نوار ظرفیت به نوار رسانش در حالت تعادل گرمایی ۰۲گذار الکترون از نوار ظرفیت به نوار رسانش تحت تاثیر انرژی فوتون فرودی ۰۳گذار الکترون از نوار رسانش به نوار ظرفیت در حالت تعادل گرمایی
آن گذار الکترون از نوار رسانش به نوار ظرفیت تحت تاثیر انرژی فوتون فرودی
γ«Υ /Υ ) •ΥΛΔΔ
صفحه ۱ از ۴
نیمسال دوم ۹۱-۱۳۹۰




***
. . .
藥 = دانشگاه پیام نور کارشناسی مرکز آزمون و سنجش حضرت علی(ع): ارزش هر کسی به میزان دانایی و تخصصی اوست تعداد سوالات : تستی : ۲۰ تشریحی : ۴ زمان آزمون (دقیقه) : تستی : ۶۰ تشریحی : ۶۰ سری سوال : ۱ یک عنوان درس : فیزیک قطعات نیمه رسانا۱ رشته تحصیلی / کد درس : فیزیک (حالت جامد) ۱۱۱۳۰۳۸ ۶- کدام رابطه بیانگر آهنگ تولید نوری G (به شرط برقراری خنثی بودن بار فضایی) است؟ G, = BAp + B(n, -p)Ap ' G, = BAp + B(n, + p.)Ap G, = BAp+ B(n, + p.)Ap ' G, = BAp+ B(n.-p.)Ap " ۷- طول عمر حامل اقلیتی در نیمرسانای نوع P با کدام رابطه به دست می آید؟ 1 t 1 . r 1 ャ 1 \ τ, = t, = τ, = T. = c,N, C_N C.N. C N
۸- میدان الکتریکی داخلی که در اثر توزیع فضایی غیر یکنواخت ناخالصی دریک قرصی سیلیسیوم از نوع 11 تولید می شود با کدام رابطه داده دهی شود؟ (با فرض این که اتم های ناخالصی یونیده اند)
_ N, dN, f _ _ V, dN, Y _ _ Vr dΝ, " _ Ν, dΝ, .)
V, dx N, dx N, dx V, dx
A— اختلاف پتانسيل بين نواحی خنثای طرف Il و D یک پیوندگاه 11-O کدام است؟
y = V, In
N,N. . ; 2 . w“ N, Y N. ೬. ψ =V, In n, V =VIn. y =–V, In Pl
i d : " a t t
۱۰- کدام گزینه بیانگر عرضی لایه تهی در یک پیوندگاه شیبدار خطی به هنگام تعادل است؟ (1) شیب تراکم است)
1 t 1 .ャ 1 .ャ ... ) w_(2key, w_(12key): w_(2key. )2 w_12key
qa qa qa qa
)3
۱۱- یک دیود سیلیسیومی -P ازنوع پیوندگاه پله ای به ترتیب با N = 10"cm و N = 4 ×10 cm در طرف / و طرف " آلائیده شده است. پتانسیل داخلی چندولت است؟ ( 0.026 = , n=1.5×10" , V)
8/76 . . 4/9 . r 1/5 Y /83 .)
۱۲- وقتی که در ناحیه تهی تحت میدان الکتریکی زیاد، تولید الکترون و حفره شده به طوری که برخی از الکترون های ظرفیت براثر تونل زنی مکانیک کوآنتمی از نوار ظرفیت به نوار رسانش نقل می کنند، نام این سازوکارچیست؟ ۱. بازترکیب بارفضایی ۲. بازیافت پله ای
۳. شکست زنر .Y . پیش ولت دادن به پیوندگاه
۱۳- کارآیی باتری خورشیدی با کدام عبارت محاسبه می شود؟( P توان نور ورودی است)
- to V__ p, : « I p. 。ャ I_ _V ... ) η=="-x%.100 m="oloo n =*x%100 η = " " χ%.100
o!тр тр тр Pin
γ«Υ /Υ ) •ΥΛΔΔ
نیمسال دوم ۹۱-۱۳۹۰ صفحه ۲ از ۴***
. . .
: کارشناسی --- - - - டிய கள்: مرکز آزمون و سنجش حضرت علی(ع): ارزش هر کسی به میزان دانایی و تخصصی اوست تعداد سوالات : تستی : ۲۰ تشریحی : ۴ زمان آزمون (دقیقه) : تستی : ۶۰ تشریحی : ۶۰ سری سوال : ۱ یک
عنوان درس : فیزیک قطعات نیمه رسانا۱ رشته تحصیلی / کد درس : فیزیک (حالت جامد) ۱۱۱۳۰۳۸
۱۴- کدام عبارت صحیح نیست؟
۱. توان بیشینه خروجی باتری خورشیدی، از طریق ولتاژ مدار باز و جریان مدار کوتاه تعیین می شود. ۲. در مقایسه با باتری پیوندگاه P-II، باتری سد شوتکی دارای ولتاژ مدار باز کمتری است و لذا کارآیی کمتری دارد. ۳. کارآیی گردآوری، به طول پخش حامل های اقلیتی و ضریب جذب بستگی دارد.
۴. مجموع مقاومت های اتصال ورقه ای، اتلاف توان درونی را کاهش و عامل پرکننده را افزایش می دهد.
۱۵- یک گسیلنده فروسرخ GaAS با پارامترهای 0/02 = G = 10 cm , , = 10//m , T , 80 = 7 مفروض است. کارآیی کوانتومی خارجی تقریباً کدام است؟ %2/68 f %1/57 . Y. %4/14 Y %5/56 . ) ۱۶- برای یک FETل سیلیسیومی کانال n با k = 12N = 5 ×10 cm ،a = 1//m ولتاژ تنگش را چقدر است؟( (q = 1.6×10"c, e, -8.85×10°N m”/co 3/77v O/86V v 1/68V Y 6/75V . )
۱۷- در یک ترانزیستور JPET ترارسانایی عرضی در ناحیه اشباع با کدام رابطه داده می شود؟ G. 2
o Vo . Y. G. Vo . Y. у, +V, , ' ψ -V, " - -- G (1 – || – 9- G (1 – ||Ye 0. γV, (ψ +Vo) 2 γV,(ψ -Vσ) o) o)
۱۸- در خصوص ترانزیستورهای JPET کدام گزینه صحیح نیست؟ ۱. عرض لایه بار فضایی در نقطه تنگش دقیقا برابر با عرضی کانال است.
۲. وقتی ولتاژ در رو کاهش می یابد جریان نشتی دریچه، کوچک باقی می ماند تا وقتی که شکست بهمنی در ناحیه پیوندگاه رخ دهد.
۳. اثر فیدبک منفی R به ترارسانایی عرضی موثر منتهی می شود.
آن در نقطه تنگش بزرگی پیش ولت های در رو و دریچه در شرط مV( = W- رW صدق می کنند.
۱۹- در ترانزیستور ip Iل ظرفیت دریچه در تنگش عبارت است از:
to ke, 'Y ke, 'Y C.-4zl,” C. = 4ZL- C. = 22L- c.-22L, * r Cl Cl W Му
... )
۲۰- با فرض 1350cm /V.S = / در دمای اتاق، سرعت سوق الکترون برای میدان الکتریکی V/cm*10 کدام است؟
1/35×10 cm/s Y 2/70x10° cm/s -W 0/85x10°cm/s . Y 1/85X10 cm/s .)
= صفحه ۳ از ۴
γ«Υ /Υ ) •ΥΛΔΔ
نیمسال دوم ۹۱-۱۳۹۰***
. . .
: کارشناسی --- - - - டிய கள்: مرکز آزمون و سنجش حضرت علی(ع): ارزش هر کسی به میزان دانایی و تخصصی اوست تعداد سوالات : تستی : ۲۰ تشریحی : ۴ زمان آزمون (دقیقه) : تستی : ۶۰ تشریحی : ۶۰ سری سوال : ۱ یک
عنوان درس : فیزیک قطعات نیمه رسانا۱ رشته تحصیلی / کد درس : فیزیک (حالت جامد) ۱۱۱۳۰۳۸
سوالات تشریحی
۱- ترازهای فرمی وار در ۳۰۰K (دمای اتاق) را برای نیمرسانایی با ۱،۷۵ نمره (V, = 0.026w )$.„:s „L...» N, = 10'°cmo°, t, = 10/us, n, = 10""cmo°, G, =10"°cmoso'
۲- یک پیوندگاه p-n را که توسط پخش دو مرحله ای به داخل یک نمونه با N = 2×10 cm ساخته شده ۱،۷۵ نمره است در نظر بگیرید. تراکم سطحی cm o メ93*'10 و عمق پیوندگاه 5um است. فرض کنید که پتانسيل داخلی 0/8V است. ظرفیت پیوندگاه را در پیش ولت مخالف ۵ ولت به دست آورید؟
۳- برای یک FETل سیلیسیومی کانال r1 با ۱،۷۵ نمره k = 12, N,=5x10’°cm°, N, =10"’cm°, a = 1/um, L=30,um, z= 0/1cm, Au, = 1350cm°/V.s ولتاژهای تنگش Wo و W را تعیین کنید.(
(q = 1.6×10"c, e, = 8.85×10°N m” sco, V, -0/026,
۴- فرآیند باز ترکیب مستقیم را با رسم شکل توضیح داده و طول عمر حامل حامل های اضافی را با شرط خنثی ۱،۷۵ نمره بودن ناحیه بار فضایی به دست آورید؟
γ«Υ /Υ ) •ΥΛΔΔ نیمسال دوم ۹۱-۱۳۹۰ صفحه ۴ از ۴***