. . . =انشكاه پیام نور کارشناسی مرکز آزمون و سنجش
حضرت علی(ع): ارزش هر کسی به میزان دانایی و تخصصی اوست
تعداد سوالات : تستی : ۲۰ تشریحی : ۴ زمان آزمون (دقیقه) : تستی : ۶۰ تشریحی : ۶۰ سری سوال : یک ۱ عنوان درس : الکترونیک ۱
رشته تحصیلی /کد درس : فیزیک (هسته ای )، فیزیک (اتمی و مولکولی)، فیزیک (حالت جامد) ۱۱۱۳۰۱۴
استفاده از ماشین حساب مهندسی مجاز است
- حامل های اقلیت در نیمرساناهای نوع N و P به ترتیب عبارت اند از:
= N n ... = N ャ 2 \ Pp. A N D ny = No N, p, = N р _ ni '' n = "l р _ ni '' pームw 4 N p – N N,, N, N,,
۲- کدام گزینه در مورد مواد نیم رسانا درست است؟ ۱. رساناهای سرد هم نامیده می شوند. ۲. مقاومت آن ها در اثر افزایش دما و نور کاهش می یابد.
.Y . فقط در یک بایاسی کار می کنند.
۴. فقط با تحقیق در رسانندگی مواد به ویژگی های نیم رسانا پی می بریم. ۳- کدام گزینه در مورد جریان گذرا درست نیست ؟
۱. یکی از انواع جریان دیود در تغذیه معکوس است. ۲. ناشی از حرکت حامل های اکثریت است.
۳. مقدار و زمان دوام آن بسیار ناچیز است. ۴. انرژی گرمایی موجد جریان گذرا است.
f— منحنی مشخصه دیود وریستور کدام گزینه است؟
--- to --- : « --- 。ャ --- ... ) wo- / w- ス wo ス *
۵- کدام گزینه در مورد نیمرساناهای ناخالصی درست است؟
۱. رسانندگی کنترل شده ندارند. ۲. چگالی حامل های اکثریت تابعی از دما است.
۲. در دماهای بالا مانند نیمرسانای خالصی عمل می کنند. ۴. در دماهای بالا مانند نارسانا عمل می کنند.
.ץץ"ו. ו. ון. ו. ו
صفحه ۱ از ۶
نیمسال دوم ۹۱-۱۳۹۰




***
. . .
: کارشناسی مرکز آزمون و سنجش حضرت علی(ع): ارزش هر کسی به میزان دانایی و تخصصی اوست
تعداد سوالات : تستی : ۲۰ تشریحی : ۴ زمان آزمون (دقیقه) : تستی : ۶۰ تشریحی : ۶۰ سری سوال : ۱ یک عنوان درس : الکترونیک ۱ رشته تحصیلی /کد درس : فیزیک (هسته ای )، فیزیک (اتمی و مولکولی)، فیزیک (حالت جامد) ۱۱۱۳۰۱۴ ۶- کدام گزینه در مورد ورکتور در دست است ؟ ۱. دیودی است که منحصرا به عنوان یک مقاومت تابع ولتاژ ساخته می شود. ۲. می توان آن را متشکل از تعداد بسیار زیادی دیود زنر درهم تعبیه شده تصور کرد. ۳. همواره در بایاس معکوس به کار می رود. ۲. دیودی است که در هر دو نوع تغذیه به کار می رود. ۷- جریان دیود سیلسیومی که در بایاسی مستقیم قرار دارد عبارت است از:
V . { V . Y. *— .Y I = I, e " I = I, e.” I = I, (e" –1)
V ... )
1 =1, or –1)
۸- نام مدار روبه رو چیست؟
برشگر منفی با تغذیه منفی، " برشگر منفی با تغذیه مثبت. " برشگر مثبت با تغذیه منفی، " برشگر مثبت با تغذیه مثبت
۹- مقاومت میانگین دیود سیلسیومی که در ولتاژ 094۷ = Vp جریان هدایت آن Ir=12mA است برابر است با: 78.3k() . Y. 20.0 KQ . V 78.3G) . Y. 20.0C) . )
۱۰- مدار زیر داده شده است. کدام گزینه در مورد جریان ها درست است؟ 2k D1 D2 3k
Ips = 0 Io, - Io, - 1mA . )
Ip, =0 Ipi = -1 pa = 2mA " I„2 = 0 Io = I„3 = 2mA Y
نیمسال دوم ۹۱-۱۳۹۰ صفحه ۲ از ۶
.ץץ"ו. ו. ון. ו. ו
***
. . .
: کارشناسی --- - - - டிய கள்: مرکز آزمون و سنجش حضرت علی(ع): ارزش هر کسی به میزان دانایی و تخصصی اوست تعداد سوالات : تستی : ۲۰ تشریحی : ۴ زمان آزمون (دقیقه) : تستی : ۶۰ تشریحی : ۶۰ سری سوال : ۱ یک
عنوان درس : الکترونیک ۱ رشته تحصیلی /کد درس : فیزیک (هسته ای )، فیزیک (اتمی و مولکولی)، فیزیک (حالت جامد) ۱۱۱۳۰۱۴
۱۱- پتانسل سد در یک پیوند PN کدام گزینه است؟
VL! f -1에 . Y. „y, do(x) ‘ -ν, άρα) " nί" nί " p(x) p(x) ۱۲- کدام گزینه در مدار امیتر مشترک، ناحیه قطع ترانزیستور را مشخص می کند؟ 1c = 1cto 1ց =0 。ャ I, = 1, I, =0 ... ) Ie = Iceo Ie = 0 f Ia = Ia, Ie = 0 v ۱۳- کدام گزینه از محاسن کوپلاژ خازنی نیست؟ ۱. خازن باعث جدائی جریان مستقیم مدار جریان خروجی از مصرف کننده می شود. ۲. می توان با خازنی با گنجایش کم، پایین ترین بسامد ها را به طور رضایت بخش انتقال داد. ۳. خازن از جا به جایی نقطه کار جلوگیری می کند. " به سهولت قابل تحقق است. ۱۴- کدام گزینه در مورد ناحیه فعال مدار امیتر مشترک نادرست است؟ ۱. تغییرات بسیار ناچیز O باعث اثرات بزرگی در منحنی مشخصه خروجی مدار می شود. ۲. به علت پدیده مدولاسیون عرض بیس، C افزایش ناچیزی پیدا می کند. ۳. تغییرات بسیار ناچیز اC باعث افزایش محسوسی در 3 می شود. ۴. Cدر هیچ شرایطی افزایش یا کاهش ندارد. ۱۵- کدام گزینه درست است؟ h =-h * h = 1+ h, Y h. = 1+h, Y h = h: , ) ۱۶- در یک ترانزیستور 0935 = C و I c = 6mA است. 1B عبارت است از: 124A 12mA . Yʻ 301A Y 30mA : \ .ץץ"ו. ו. ון. ו. ו نیمسال دوم ۹۱-۱۳۹۰ صفحه ۳ از ۶***
. . . =انشكاه پیام نور کارشناسی
--- - - - - டிய கள்: مرکز آزمون و سنجش حضرت علی(ع): ارزش هر کسی به میزان دانایی و تخصصی اوست
تعداد سوالات : تستی : ۲۰ تشریحی : ۴ زمان آزمون (دقیقه) : تستی : ۶۰ تشریحی : ۶۰ سری سوال : ۱ یک عنوان درس : الکترونیک ۱ رشته تحصیلی /کد درس : فیزیک (هسته ای )، فیزیک (اتمی و مولکولی)، فیزیک (حالت جامد) ۱۱۱۳۰۱۴ ۱۷- برای مدار تقویت کننده شکل زیر داریم: 60 =h.2گh = 2.2k Væ. 200 3 kQ kQ —162.4 . [. –59.3 . Y. 60 . Y –62 . ) ۱۸- کدام گزینه در مورد Ilfe درست نیست ؟ ۱. این پارامتر از سایر پارامترها اهمیت بیشتری دارد. ۲. این پارامتر مستقل از دما و ولتاژ کلکتور است.. ۳. مقدار این پارامتر به 1C حساس است. ۴. مقدار این پارامتر به B حساس است.
۱۹- کدام گزینه تکمیل کننده ی جمله ی زیر است؟ از روش های پیشگیری ... . می گویند.
، قرار دادن یک مقاومت در مسیر
امیتر است که به آن ....
۱. پسخوراند جریان، رانش گرمایی ۲. پسخوراند ولتاژ، رانش گرمایی ۰۳رانش گرمایی، پسخوراند جریان ۰۴رانش گرمایی، پسخوراند ولتاژ ۲۰- پتانسیل سد یک دیود ژرمانیوم در دمای 20C تقریباً 0.3V است. این پتانسیل در C 35 چقدر خواهد بود؟
0.3375)/ t 0.3V . Y. 0.2860V Y 0.2625W . )
.ץץ"ו. ו. ון. ו. ו
صفحه ۴ از ۶
نیمسال دوم ۹۱-۱۳۹۰


***