d oth . WWW29FILE:ORG علی دانشحه پیام نو، کارشناسی «А:»» مر=حا-ز آزمون و سنجش দ্বাক্ষ تعداد سوالات : تستی : ۲۰ تشریحی : ۴ زمان آزمون (دقیقه) : تستی : ۶۰ تشریحی : ۶۰ سری سوال : یک ۱
عنوان درس : فیزیک قطعات نیمه رسانا 1
رشته تحصیلی / کد درس : فیزیک (حالت جامد) ۱۱۱۳۰۳۸
۱- گالیوم آرسنید کGa4 دارای چه نوع ساختار بلوری است ؟
\ . bCc ٠٢ روی-سولفید ۳. هگزاگونالی ۴. ترکیب DCC و fCC Y– کدام گزینه در دست است ؟
۱. الکترون در جامد می تواند مقادیرنامحدود از انرژی را بپذیرد.
۲. می توان تکانه خالصی رابه الکترونهای یک نوار پرنسبت داد.
۳. یک نوار کاملا پرهم میتواند درشارش جریان شرکت کند.
۴. درفلزات نوار رسانش فقط به طور جزیی توسط الکترونها پرشده است. ۳- اگر میدان الکتریکی اعمال شده به یک نیمرسانادو برابر شود جریان سوق حفره تولید شده ناشی از آن چند برابر می شود؟
۱. دو ۲. چهار ۳. نصف ۴. تغییری نمی کند ۴ - چگالی حالت های موثر N c معرف چگالی حالت ها درباریکه ای به کدام پهنا در نزدیکی لبه رسانش است؟
KT : * 1.2KT Y 1.5KT . Y 2ΚΤ.)
۵- حاصلضرب H21 در وضعیت عدم تعادل عبارت است از :
Øp – 9, 。ャ Øp + 9, ... ) n;exp —छ्र- njeхр —छ्रT T 十 f - .* no exp &Ç0n no exp “.Ç0n T T
۶- کارآمدترین مراکز باز ترکیب در نیمرسانا در کجا قرار گرفته اند؟ ۱. نزدیک تراز رسانش ۲. نزدیک تر از ظرفیت ۳. در مرکز یا نزدیک به مرکز گاف ممنوع ۴. فاصله خیلی دور از تراز فرمی
۷- با توجه به وابستگی مشخصه های( ولتاژ-جریان) به دما در یک دیود کدام رابطه درست است؟(I جریان کل پیوندگاه است)
dV/dT=-V/T+(Vq./I0)(dI„/dT) ‘ dV/dT=(VT/Io)(dio/dT) ' dV/dT=V/T-(VT/Io)dio/dT " dV/dT=I/Io(dIo/dT)-V/TV "
1010/10 1034O3O
نیمسال دوم ۹۴-۱۳۹۳ صفحه ۱ از ۴
***
d oth . WWW.29FILE:ORG کاو شنا را به خانههای
SW2 = انشتاه پیام نور
«А:»» مر=ح--ز آزمون و سنجش দ্বাজ্জ تعداد سوالات : تستی : ۲۰ تشریحی : ۴ زمان آزمون (دقیقه) : تستی : ۶۰ تشریحی : ۶۰ سری سوال : ۱ یک
عنوان درس : فیزیک قطعات نیمه رسانا 1
رشته تحصیلی / کد درس : فیزیک (حالت جامد) ۱۱۱۳۰۳۸
۸- با فرض اینکه هر فوتون جذب شده در پیوندگاه یک زوج الکترون -حفره تولید کند، آهنگ تولید زوجهای الکترون -حفره کدام است؟ (به صورت تابعی از نفوذ سطحی)
- -Ox Y - -Ox . ) GL=aTone GL=FPhe
GL=Fine” " GL=arine” "
۹- سازوکار تابشی دیود سرخ گالیم فسفید از چه طریقی صورت می گیرد؟ ۱. تزریق سیلیسیم دردمای بسیار بالا ۲. تزریق ژرمانیوم دردمای بسیار بالا
۳. تزریق ژرمانیوم دردمای بسیار پایین ۰۲زوج ناخالصی بخشنده-پذیرنده
۱۰- با توجه به رفتار ال بعد از تنگش:
۱. مقاومت دررو نامتناهی است
آن جریان دررو بعد از تنگش اشباع نیست
۳. جریان دررو بسیار کاهش می یابد
۴. طول لایه تهی کاهش وطول کانال خنثی افزایش می یابد. ۱۱- کدام رابطه معادله بسامد قطع را در FET نشان می دهد؟
28m. f 8 m . Y. &m. .Y ..Y
πΟ 2πCG Со 27CD
۱۲- برای تولید ترانزیستور 11-0-11 کدام گزینه درست نیست؟
۱. به کمک لیزر ناخالصی ها وعرضی لایه تعدیل می شود.
۲. ابتدا یک لایه رشد داده می شود تا تمام سطح را بپوشاند.
۳. ازسونش فوتومقاومتی نقابداراستفاده می شود.
۴. پخش فسفرانجام می گیرد تا پیوندگاه دوم ایجاد شود. ۱۳- شکست بهمنی در پیوندگاه وقتی رخ می دهد که عامل تکثیر بهمنی M به چه عددی نزدیک شود؟
۱. بینهایت ۲. صفر ۳. یک ۴. دو
1034O3O 1010/10 نیمسال دوم ۹۴-۱۳۹۳ = صفحه ۲ از ۴
***
d oth . WWW.29FILE:ORG کاو شنا را به خانههای
علی دانشحه پیام نو، «А:»» مر=حا-ز آزمون و سنجش 恭 تعداد سوالات : تستی : ۲۰ تشریحی : ۴ زمان آزمون (دقیقه) : تستی : ۶۰ تشریحی : ۶۰ سری سوال : ۱ یک
عنوان درس : فیزیک قطعات نیمه رسانا 1 رشته تحصیلی / کد درس : فیزیک (حالت جامد) ۱۱۱۳۰۳۸
۱۴- چگالی و بار خالصی فضایی در یک نیم رسانا برابر است با:
q[P + Na -(n +N,)] ' q[P +N, -(n +Na)] ”
q[P + Na +(n +N,)] f q[(P+N,)(n + Na )] . Y. ۱۵- برای کم کردن مقاومت ورقه ای در باتری خورشیدی باید:
۱. طول عمرحاملی هارا افزایش داد. ۲. طول پخش لایه سطحی را افزایش داد
۳. ناخالصی آلومینیوم به عمق نیمرسانا اضافه کنیم ۲. لایه سطحی راشدیدا آلایش داد.
۱۶- با توجه به گسیلنده -مشترک در ترانزیستور می توان گفت: ۱. درناحیه قطع پیوندگاه های گسیلنده و گردآورهردو پیش ولت موافق دارند. ۲. درناحیه فعال عادی پیوندگاه گسیلنده پیش ولت مخالف و پیوندگاه گردآور پیش ولت موافق دارد. ۳. درناحیه فعال عادی پیوندگاه گسیلنده پیش ولت موافق و پیوندگاه گردآور پیش ولت مخالف دارد.
۴. درناحیه اشباع هردو پیوندگاه دارای پیش ولت مخالفند. ۱۷- در باتری خورشیدی اگرضریب جذ OM بزرگ باشد:
۱. جذب در نزدیکی سطح زیاد خواهد بود. ۲. گردآوری در لایه پوستی کاهش خواهد یافت.
۳. گردآوری در لایه پوستی ازبین می رود. ۲. باتری قادر به جذب نخواهد بود.
۱۸- در یک نیم رسانا در تعادل گرمایی آهنگ گسیل حفره عبارت است از:
Ef -Ei ·' E, —E; ...“ Ef -Ei ·Y Ei —E, . ) KT KT KT KT ep nie ep nie ep nie српје
۱۹- دریک ترانزیستور اگر طول ناحیه فعال دو برابر شود رسانایی کانال بدون لایه های تهی چند برابر می شود؟
۱. چهار ۲. دو ۳. نصف ۴. تغییری نمی کند
۲۰- زمان لازم برای عبور الکترون از پایه (زمان گذار پایه) در ترانزیستورهای پیوندی دو حاملی عبارتند از: f
. Y. .Y ... ) xỉ 2x5 xỉ 4xi 4D, D,, 2D, D,, 1034O3O 1010/10 = نیمسال دوم ۹۴-۱۳۹۳ = صفحه ۳ از ۴
***
d oth . WWW.29FILE:ORG کاو شنا را به خانههای
علی دانشحه پیام نو، «А:»» مر=حا-ز آزمون و سنجش 恭 تعداد سوالات : تستی : ۲۰ تشریحی : ۴ زمان آزمون (دقیقه) : تستی : ۶۰ تشریحی : ۶۰ سری سوال : ۱ یک
عنوان درس : فیزیک قطعات نیمه رسانا 1 رشته تحصیلی / کد درس : فیزیک (حالت جامد) ۱۱۱۳۰۳۸
۱۴- چگالی و بار خالصی فضایی در یک نیم رسانا برابر است با:
q[P + Na -(n +N,)] ' q[P +N, -(n +Na)] ”
q[P + Na +(n +N,)] f q[(P+N,)(n + Na )] . Y. ۱۵- برای کم کردن مقاومت ورقه ای در باتری خورشیدی باید:
۱. طول عمرحاملی هارا افزایش داد. ۲. طول پخش لایه سطحی را افزایش داد
۳. ناخالصی آلومینیوم به عمق نیمرسانا اضافه کنیم ۲. لایه سطحی راشدیدا آلایش داد.
۱۶- با توجه به گسیلنده -مشترک در ترانزیستور می توان گفت: ۱. درناحیه قطع پیوندگاه های گسیلنده و گردآورهردو پیش ولت موافق دارند. ۲. درناحیه فعال عادی پیوندگاه گسیلنده پیش ولت مخالف و پیوندگاه گردآور پیش ولت موافق دارد. ۳. درناحیه فعال عادی پیوندگاه گسیلنده پیش ولت موافق و پیوندگاه گردآور پیش ولت مخالف دارد.
۴. درناحیه اشباع هردو پیوندگاه دارای پیش ولت مخالفند. ۱۷- در باتری خورشیدی اگرضریب جذ OM بزرگ باشد:
۱. جذب در نزدیکی سطح زیاد خواهد بود. ۲. گردآوری در لایه پوستی کاهش خواهد یافت.
۳. گردآوری در لایه پوستی ازبین می رود. ۲. باتری قادر به جذب نخواهد بود.
۱۸- در یک نیم رسانا در تعادل گرمایی آهنگ گسیل حفره عبارت است از:
Ef -Ei ·' E, —E; ...“ Ef -Ei ·Y Ei —E, . ) KT KT KT KT ep nie ep nie ep nie српје
۱۹- دریک ترانزیستور اگر طول ناحیه فعال دو برابر شود رسانایی کانال بدون لایه های تهی چند برابر می شود؟
۱. چهار ۲. دو ۳. نصف ۴. تغییری نمی کند
۲۰- زمان لازم برای عبور الکترون از پایه (زمان گذار پایه) در ترانزیستورهای پیوندی دو حاملی عبارتند از: f
. Y. .Y ... ) xỉ 2x5 xỉ 4xi 4D, D,, 2D, D,, 1034O3O 1010/10 = نیمسال دوم ۹۴-۱۳۹۳ = صفحه ۳ از ۴
***
d oth . WWW.29FILE:ORG کاو شنا را به خانههای
«А:»»
W 炙
|
S %
= انش متاه پیام نور مرمت - ازمون و اسنجانش
켰 NS
تعداد سوالات : تستی : ۲۰ تشریحی : ۴ زمان آزمون (دقیقه) : تستی : ۶۰ تشریحی : ۶۰ سری سوال : ۱ یک
عنوان درس : فیزیک قطعات نیمه رسانا 1
رشته تحصیلی / کد درس : فیزیک (حالت جامد) ۱۱۱۳۰۳۸
سوالات تشریحی
۱- الف - عوامل پراکندگی درنیمرسانارا نام ببرید؟ ۱،۷۵ نمره ب - حرکت الکترون در نیمرسانای تحت تاثیر میدان الکتریکی خارجی را با رابطه بیان کنید.؟
" تا از هاه، فم. ها، اد اه، نک نمه : مام , اتاة, را - )(al 1 — ۱،۷۵ نمره - з пі = 10" " , K T = 0.26 ترازهای فرمی وار را برای یک نمونه سیلیسیم در دمای اتاق با G/ =5x10"cm ”st', tp = las , N, = 10°cm o محاسبه کنید..
"χω ).ΥΔ : ۳- یک دیود پیوندی / ---- 2/ سیلیسیمی دارای پارامترهای زیر است A - 0.01gmo • Th = "o = las , N, =5x10'°cm To N, = 10'o . فرض کنید که عرضی دو طرف پیوندگاه از طول پخش حامل اقلیتی متناظر برزگتر باشد. ولتاژ اعمال شده در جریان مستقیم IImA را در 300k به دست آورید.
۱،۷۵ نمره
۴- مراحل و فرآیند اثر فوتوولتایی در باتری خورشیدی را بیان کنید؟
نیمسال دوم ۹۴-۱۳۹۳ = صفحه ۴ از ۴
1010/10 1034O3O
***