SW 丝
-
-
WWWy 20FIL E. ORG . የማየ/: - انشتاه پیام نور کارشناسی =
«А:»» مر=ح--ز آزمون و سنجش
/* - - - - تعداد سوالات : تستی : ۲۰ تشریحی : ۴ زمان آزمون (دقیقه) : تستی : ۶۰ تشریحی : ۶۰ سری سوال : یک ۱
-> ミー
द्रं, NS
عنوان درس : الکترونیک 1 رشته تحصیلی / کد درس : فیزیک (اتمی و مولکولی)، فیزیک (حالت جامد)، فیزیک (هسته ای )۱۱۱۳۰۱۴
استفاده از ماشین حساب ساده مجاز است
۱- کدام گزینه صحیح نیست؟ ۱. مقاومت رساناهای فلزی با افزایش دمای آنها افزایش می یابد. ۲. در فلزات وابستگی الکترون به یک اتم خاصی تقریبا صفر است. ۳. چگالی حامل های بار در نیمرساناهای خالصی که با ایجاد هر الکترون یک حفره نیز بوجود می آید شدیدا تابع دماست. ۴. در دماهای پایین در نیمرساناها بعضی الکترونهای ظرفیت در تشکیل بلور شرکت دارند. ۲- کدام گزینه صحیح نیست؟
۱. تاثیر نیروهای داخلی شبکه های بلوری بر حرکت حامل های بار را می توان با جایگزینی جرم موثر به جای جرم سکون الکترون در نظر گرفت.
۲. جرم موثر یک مقدار ثابت است و دارای مقادیر منفی می تواند باشد.
۳. در مواد نیمرسانای واقعی اتم های شبکه در اثر نوسانات گرمایی در اطراف وضع سکون خود حرکت می کنند و این انحرافات باعث می شود که به حامل های بار برخوردهایی تحمیل شود.
۴. چنانچه به دو سر نیمرسانا یک ولتاژ الکتریکی اعمال شود حامل های بار تحت تاثیر میدان الکتریکی بین هر دو برخورد شتاب می گیرند و مسیر حرکت آنها سهمی شکل خواهد بود. ۳- کدام گزاره صحیح نیست؟ ۱. در هر دو نوع نیمرسانای N و F تحریک گرمایی نیز موجب پیدایش جفت الکترون - حفره می شود. ۲. در نیمرسانای نوع N چگالی زیاد الکترونها احتمال بازترکیب را افزایش می دهد. ۳. در نیمرسانای نوع N الکترونها را حامل های اقلیت و حفره ها را حامل های اکثریت می نامند. ۴. در دماهای به حد کافی بالا نیمرسانای ناخالصی شده مانند نوع خالصی عمل می کند. ۴- پتانسیل سد یک دیود در دمای 25 درجه سانتیگراد تقریبا آ/0 ولت است. این پتانسیل در 5 درجه سانتیگراد چقدر خواهد بود؟
۱. 1/27 ولت ۲. 0/63 ولت ۳. 1 (1/8 ولت ۴. 0/31 ولت
۵- در تغذیه مخالف دیود سه جریان الکتریکی ناشی از عوامل مختلف در دیود وجود دارد، کدامند؟ ۱. جریان گذرا، جریان حامل های اقلیت، جریان نشتی سطحی ۲. جریان گذرا، جریان حامل های اکثریت، جریان نشتی سطحی ۳. جریان پایا، جریان حامل های اقلیت، جریان نشتی سطحی آن جریان پایا، جریان حامل های اکثریت، جریان نشتی سطحی
1034251 1010/10 نیمسال دوم ۹۴-۱۳۹۳ = صفحه ۱ از ۸
***
d oth . WWW29FILE.ORG کاو شنا را به خانههای
?"s = انشتا» پیام تور «А:»» مر=حا-ز آزمون و سنجش 恭 تعداد سوالات : تستی : ۲۰ تشریحی : ۴ زمان آزمون (دقیقه) : تستی : ۶۰ تشریحی : ۶۰ سری سوال : ۱ یک
عنوان درس : الکترونیک 1
رشته تحصیلی / کد درس : فیزیک (اتمی و مولکولی)، فیزیک (حالت جامد)، فیزیک (هسته ای )۱۱۱۳۰۱۴
۶- کدام گزینه در خصوصی ولتاژ شکست صحیح است؟ ۱. هرگاه در تغذیه مخالف ولتاژ دو سر دیود را کاهش دهیم به نقطه ای میرسیم که به آن ولتاژ شکست می گویند. ۲. هرگاه در تغذیه موافق ولتاژ دو سر دیود را کاهش دهیم به نقطه ای میرسیم که به آن ولتاژ شکست می گویند. ۳. هرگاه در تغذیه مخالف ولتاژ دو سر دیود را افزایش دهیم به نقطه ای میرسیم که به آن ولتاژ شکست می گویند. ۲. هرگاه در تغذیه موافق ولتاژ دو سر دیود را افزایش دهیم به نقطه ای میرسیم که به آن ولتاژ شکست می گویند. ۷- در شکل مقابل دیود از جنسی ژرمانیوم و ولتاژ و جریان اسمی به ترتیب V 0/3 و 7mA است. مقدار مقاومت پویایی دیود در نقطه ای با ولتاژ و جریان اسمی و در دمای 300K کدام است؟( 4/5V = بW)
+ בר Vסוז
۱. 3/7 اهم ۲. 42/8 اهم ۳. 600 اهم ۴. بینهایت
۸- در یکسوساز نیم موج بسامد خروجی با بسامد موج ورودی چه رابطه ای دارد؟
f=v2f f f=}s . Y. f = 2f .Y 龙=/ ... )
۹- مدار شکل مقابل چه عملی را انجام می دهد؟
+ R + V. w DVZ VS RL r--- બ્લت ۱. برشگر مثبت ۲. برشگر منفی ۳. یکسوساز نیم موج ۴. یکسو ساز تمام موج
1034251 1010/10 نیمسال دوم ۹۴-۱۳۹۳ = صفحه ۲ از ۸

***
d oth . WWW29FILE.ORG کاو شنا را به خانههای
業 = انش متاه پیام نور
«А:»» مر=حا-ز آزمون و سنجش দ্বাক্ষ تعداد سوالات : تستی : ۲۰ تشریحی : ۴ زمان آزمون (دقیقه) : تستی : ۶۰ تشریحی : ۶۰ سری سوال : ۱ یک
عنوان درس : الکترونیک 1 رشته تحصیلی / کد درس : فیزیک (اتمی و مولکولی)، فیزیک (حالت جامد)، فیزیک (هسته ای )۱۱۱۳۰۱۴
&
۱۰- در مدار شکل زیر حداکثر ولتاژ در دو سر نیمه سیم پیچ ثانویه 31/4 ولت است. اگر از افت ولتاژ در دیودها چشم پوشی کنیم ، ولتاژ قله معکوس (PTV) کدام است؟
(f) = 50Hz)
۱. 942 ولت ۲. 15/07 ولت ۳. 62/8 ولت ۴. 31/4 ولت
۱- ضریب انتقال بیس "ay با کدام گزینه تعریف می شود؟
. نسبت جریان حامل های تزریق شده به امیتر به جریان کل امیتر ۲. نسبت جریان حامل های تزریق شده به امیتر به جریان کل کلکتور ۳. نسبت جریان حامل های تزریق شده به کلکتور به جریان کل امیتر ۴. نسبت جریان حامل های تزریق شده به کلکتور به جریان حامل های تزریق شده به امیتر
------------------------- ۱۲- ناحیه فعال در ترانزیستور ناحیه ای است که در آن ۱. پیوند امیتر - بیسی در حالت هدایت و پیوند کلکتور-بیسی در حالت قطع قرار داشته باشد. ۰۲ پیوند امیتر - بیسی در حالت قطع و پیوند کلکتور-بیسی در حالت هدایت قرار داشته باشد. ۰۳ پیوند امیتر - بیس و پیوند کلکتور-بیسی در حالت هدایت قرار داشته باشند.
۴. پیوند امیتر - بیس و پیوند کلکتور- بیس در حالت قطع قرار داشته باشند.
1010/101034251 = نیمسال دوم ۹۴-۱۳۹۳ = صفحه ۳ از ۸

***
d oth . WWW29FILE.ORG کاو شنا را به خانههای
業 = انشتا» پیام تور
«А:»» مر=حا-ز آزمون و سنجش দ্বাক্ষ تعداد سوالات : تستی : ۲۰ تشریحی : ۴ زمان آزمون (دقیقه) : تستی : ۶۰ تشریحی : ۶۰ سری سوال : ۱ یک
عنوان درس : الکترونیک 1
رشته تحصیلی / کد درس : فیزیک (اتمی و مولکولی)، فیزیک (حالت جامد)، فیزیک (هسته ای )۱۱۱۳۰۱۴
۱۳- در مدار شکل زیر ترانزیستور به عنوان کلید بکار رفته است. برای این ترانزیستور داریم: 200 »- ز/ ۹- 100 , Ico = 0. 1//A ، حداقل جریان بI که باعث شود ترانزیستور به حالت اشباع برود کدام است؟
/プアフ
641A t 12μΑ. * 24μΑ. 484/A .)
۱۴- مدار شکل مقابل مفروض است. بV برای حالتی که ترانزیستور در حالت قطع باشد کدام می تواند باشد؟(2گ100K = بR و در بالاترین دمای مورد نظر داریم : Ico = 10071A)
I
-اییCBO
VBB –:: - +- so ۱. 30 ولت ۲. 5 ولت ۳. 20 ولت ۴. 10 ولت
1010/10 1034251
نیمسال دوم ۹۴-۱۳۹۳ = صفحه ۴ از ۸


***