.
تعداد دانشکاه پیام نه، کارشتاسبی S / مرکز آزمون و سنجش حضرت علی(ع) ارزش هرکس به مزان دنایی و تخصص اوست. گد سری سؤال: یک (۱) تعداد سؤالات: تستی: ۲۰ تشریحی، ۴ زمان آزمون (دقیقه): انستی: ۶۰ نشریخی: ۶۰
نام درس: فیزیک حالت جامد ۲ رشته تحصیلی کد درس: کارشناسی فیزیک (حالت جامد)- ۱۱۱۳۰۲۶
۱- اگر تمام نوارها به استثنای یک یا دو نوار که اندکی پر یا خالی اند کاملاً پر شده باشند، بلوار چه نوعی است ؟ الف - عایق ب – فلز ج - نیمه رسانا د - ۱ و ۳ ۲- در یک بلور یک بعدی دومین گاف انرژی در چه بردار موجی رخ می دهد ؟
k = * -: 2* - دب k = "2 – الف Cl C! C!
۳- تعداد برداهای موج مجاز k در منطقه اول بریلوئن یک شبکه مکعبی با تعداد یاخته بسیط N کدام است ؟ 6N –3 2 TE 2N - ب N – الف
۴- برای موج ایستاده (H) // در یک شبکه یک بعدی چگالی احتمال کدام است ؟
الف – (cos" (E ب- ("")cos(*) -e sin د- ("")sin Gl G! C! G!
۵- در مدل الکترون آزاد انرژی الکترونی با بردار موجi = ت: کدام است 2平r平 ーに 平m주 - دب w2Rكrrالف – ك
mறு? Zmia= тпа?
Ch8
۶- کدام گزینه در تعریف گاف نواری یک نیمرسانا صحیح است؟ الف- اختلاف انرژی بین بالاترین نقطه نوار رسانش و پایین ترین نقطه نوار ظرفیت است. ب - اختلاف انرژی بین پایین ترین نقطه نوار رسانش بالا ترین نقطه نوار ظرفیت است. ج - اختلاف انرژی بین واسط نوار ظرفیت و وسط نوار رسانش است.
د- اختلاف انرژی بین نوار ظرفیت و وسط نوار رسانش است





***
.
تعداد دانشکاه پیام نه، کارشتاسبی ŽNS مرکز آزمون و سنجش حضرت علی(ع): ارزش هر کس به میزان دانایی و تخصص اوست. گد سری سؤال: یک (۱)
تعداد سؤالات: تستی: ۲۰ تشریحی، ۴ زمان آزمون (دقیقه): انستی: ۶۰ نشریخی: ۶۰ نام درس: فیزیک حالت جامد ۲ رشته تحصیلی کد درس: کارشناسی فیزیک (حالت جامد)- ۱۱۱۳۰۲۶
۷- کدام گزینه درست است؟ (کامل تر است) الف - لبه های نواری در Si با گذارهای غیر مستقیم به هم مربوط می شوند. ب - لبه های نواری در Ge با گذارهای غیر مستقیم به هم مربوط می شوند. ج - لبه های نواری در In Sb با یک گذار غیر مستقیم به هم مربوط می شوند.
د - الف و ب درست است
۸- مقدار ---- برابر است با: | الف – T دب - 2LT T a— کدام گزینه صحیح است؟ الف - در یک نیمرسانای ذاتی جرم موثر الکترونهای باند رسانش و حفره های باند ظرقیت همواره با یکدیگر برابر است.
ب - در یک نیمرسانای ذاتی تراز فرمی در صفر مطلق نزدیک نوار رسانش قرار دارد.
ج - در یک نیمرسانای ذاتی تراز فرمی وسط گاف ممنوع قرار می گیرد اگر جرم موثر الکترونهای باند رسانش و حفره های
باند ظرقیت با یکدیگر برابر باشد.
د - در یک نیمرسانای نوع n تعداد الکترونهای باند رسانش و حفره های باند ظرقیت همواره با یکدیگر برابر است







***
.
تعداد دانشکاه پیام نه، کارشتاسبی S / مرکز آزمون و سنجش حضرت علی(ع) ارزش هرکس به مزان دنایی و تخصص اوست. گد سری سؤال: یک (۱) تعداد سؤالات: تستی: ۲۰ تشریحی، ۴ زمان آزمون (دقیقه): انستی: ۶۰ نشریخی: ۶۰
نام درس: فیزیک حالت جامد ۲ رشته تحصیلی کد درس: کارشناسی فیزیک (حالت جامد)- ۱۱۱۳۰۲۶
۱۰- کدام گزینه صحیح است؟ الف - جرم موثر الکترون در یک بلور هموارخ مقدار ثابتی است. ب - جرم موثر الکترونها و حفره ها در یک بلور هموارهمساوی است ج - علامت جرم موثر الکترون هماره مثبت است.
د - جرم موثر الکترونها کمیتی تانسوری است.
۱۱- نشسرط مرزی ویگز-سساتیس کدام است؟
الف – 0 =
d’y, dro l,
lim /(r) = co --
۱۲- سطح فرمی سطحی است در فضای ..........که حالتهای ............ را از حالتهای .............. جدا می کند الف - بردار موج - پر - خالی ب - مکان - پر - خالی
ج - بردار موج - نیمه پر - خالی د – مکان – نيمه پر – خالی







***
.
تعداد دانشکاه پیام نه، کارشتاسبی ŽNS مرکز آزمون و سنجش حضرت علی(ع): ارزش هر کس به میزان دانایی و تخصص اوست. گد سری سؤال: یک (۱)
تعداد سؤالات: تستی: ۲۰ تشریحی، ۴ زمان آزمون (دقیقه): انستی: ۶۰ نشریخی: ۶۰ نام درس: فیزیک حالت جامد ۲ رشته تحصیلی کد درس: کارشناسی فیزیک (حالت جامد)- ۱۱۱۳۰۲۶
۱۳- علت ایجاد گافهای انرژی در مرزهای منطقه کدام است؟ (کدام کامل تر است) الف - بر هم کنش الکترون با پتانسیل دوره ای بلور ب - بر هم کنش الکترون با الکترونهای بلور ج - بر هم کنش الکترون با میدانهای الکترو مغناطیسی د – الف و ب
۱۴- مساحت یک مدار در فضای K کدام است ؟
(n + y,” - الف – )( دب e eb
(n +y)* B - * -: ħc
e
۱۵- نوار انرژی با ساختار DCC به صورت C - 2/COSka- = است که در آن 0 , از مقادیر ثابتی هستند، پهنای این نوار
کدام است ؟
الف – { - ج - 4y
۱۶- پوسسته 4f مسئول چه خاصیتی در نمکهای گروه خاکی کمیاب می باشند؟ الف - پارامغناطیسی ب - فرومغناطیسی
ج - آنتی فرومغناطیسی







***