. . .
藥 = دانشگاه پیام نور کارشناسی --- - - - டிய கள்: مرکز آزمون و سنجش حضرت علی(ع): ارزش هر کسی به میزان دانایی و تخصصی اوست 7
تعداد سوالات : تستی : ۲۵ تشریحی : ۵ زمان آزمون (دقیقه) : تستی : ۶۰ تشریحی : ۶۰ سری سوال : یک ۱
عن-وان درس : مبانی الکترونیک دیجیتال
رشته تحصیلی / کد درس : مهندسی فناوری اطلاعات، مهندسی فناوری اطلاعات (چند بخشی ) ۱۵۱۱۰۰۵
استفاده از ماشین حساب مهندسی مجاز است ۱- برای مقایسه خانوادههای منطقی از چه پارامتری استفاده می شود؟ P. st. . Y P, ,t,, . W .Y ... ) р р р •t p P, Iք
۲- مهمترین و رایج ترین تکنولوژی موجود در دنیای دیجیتال که بیشترین میزان استفاده را دارد کدام تکنولوژی است؟ BICMOS f CMOS . Y. NMOS . Y MOSFET . )
r— کدام گزینه نادرست است؟ ۱. اگرسطح ولتاژ بالا را برای منطق صفر و سطح ولتاژ پایین را برای منطق یک استفاده کنیم اصطلاحاً گفته می شود که در منطق منفی
کار می کنیم.
۲. خانواده منطقی BIT شامل TTL و ECL است. ۳. خانواده منطقی BICMOS شامل ترکیبی از NMOS و BJT است. ۴. مزیت تکنولوژی گالیوم آرسناید (Ga AS) نسبت به تکنولوژی های دیگر سرعت بالاتر آن است.
f— مشخصه انتقالی معکوس کننده ای به همراه نقاط بحرانی در شکل زیر نشان داده شده است. کدام گزینه درست است؟ V0
V’OH
۱. ناحیه V < VIL ناحیه ورودی - پایین و ناحیه با V کاV کVL ناحیه گذرا نامیده می شود. ۲. VoL مینیمم ولتاژ ورودی است که گیت آن را به صورت منطق صفر در نظر می گیرد. ۳. VH ماکزیمم ولتاژ ورودی است که گیت آن را به صورت منطق یک در نظر می گیرد.
NMH=VOH - VOL 9 NML=VIL-VOL . Y.
)・い・ハ・Y・%YA
نیمسال دوم ۹۱-۱۳۹۰ صفحه ۱ از ۱۰

***
. . .
藥 = دانشگاه پیام نور کارشناسی --- - - - டிய கள்: مرکز آزمون و سنجش حضرت علی(ع): ارزش هر کسی به میزان دانایی و تخصصی اوست تعداد سوالات : تستی : ۲۵ تشریحی : ۵ زمان آزمون (دقیقه) : تستی : ۶۰ تشریحی : ۶۰ سری سوال : ۱ یک عن-وان درس : مبانی الکترونیک دیجیتال رشته تحصیلی / کد درس : مهندسی فناوری اطلاعات، مهندسی فناوری اطلاعات (چند بخشی ) ۱۵۱۱۰۰۵ A— مقدار جریان خروجی گیت تحریک کننده در حالت بالا 71.4mA، مقدار جریان خروجی گیت تحریک کننده در حالت
پایین 54.3mA، مقدار جریان ورودی گیت تحریک شونده در حالت بالا 98.9AA و مقدار جریان ورودی گیت تحریک شونده در حالت پایین 2.43mA می باشد. ظرفیت خروجی این گیت چقدر است؟
ャい。。や Y \ . Y. ャャ・.Y YY . )
۶- کدام گزینه درست است؟
. ماده (P ماده نیمه رسانایی است که تحت تزریق ناخالصی از یک ماده دهنده الکترون ایجاد می شود. ۲. در یک ماده از نوع II، الکترون ها به عنوان حامل های اقلیت و حفره ها به عنوان حامل های اکثریت هستند.
۳. اگر یک ولتاژ مثبت به آند دیود اعمال شود در این صورت عرضی ناحیه تخلیه افزایش می یابد و دیود در بایاس مستقیم قرار می گیرد.
۴. هنگامی که دیود در بایاس معکوس قرار می گیرد جریان های نشتی که به وسیله حامل های اقلیت ایجاد می شود به جریان های
۷- برای یک دیود پیوندی PN در حالت بایاس مستقیم VD=0.7 Volt و "10=15 می باشد. جریان دیود را در دمای اتاق )c"27( چقدر می شود؟( 25ml W = 0)
ID=145mA f ID=4.85mA . Y. ID=14.5mA Y ID=790mA . ) A— در مدار داده شده ولتاژ درین 0.1Volt است. مقاومت بین درین و سورس در نقطه کار چقدر است؟ Vop-5Volt, K=0.5mA/V’s V=1volt ... co,3 v DD RD v,, =+0.1v
rds=506Q t rds=75Q . Y. rds=235() . Y rds=2150 . )
IOIO/IO 10638
نیمسال دوم ۹۱-۱۳۹۰ صفحه ۲ از ۱۰




***
. . .
藥 = دانشگاه پیام نور کارشناسی --- - - - டிய கள்: مرکز آزمون و سنجش حضرت علی(ع): ارزش هر کسی به میزان دانایی و تخصصی اوست
تعداد سوالات : تستی : ۲۵ تشریحی : ۵ زمان آزمون (دقیقه) : تستی : ۶۰ تشریحی : ۶۰ سری سوال : یک ۱
so
عن-وان درس : مبانی الکترونیک دیجیتال
رشته تحصیلی / کد درس : مهندسی فناوری اطلاعات، مهندسی فناوری اطلاعات (چند بخشی ) ۱۵۱۱۰۰۵
۹- کدام گزینه صحیح است؟ ۱. رابطه جریان ترانزیستورهای MOSFET در ناحیه اشباع [2/k[(Ves-V )Vos - Vos=نا می باشد. ۲. برای کار در ناحیه اشباع ترانزیستورهای MOSFET کانال P باید Ves - V خVos باشد. ۳. برای کار در ناحیه تریودای ترانزیستورهای MOSFET کانالی N باید VGs - Vt خVps باشد.
۴. اV برای NMOS افزایشی مثبت می باشد.
۱۰- کدام گزینه برای یک ترانزیستور NMOSصحیح است؟ ۱. افزایش دما، کاهش جریان درین را سبب می شود. ۲. هنگامی که ولتاژ گیت- سورس از حدود ۵۰ ولت بیشتر شود، زیر لایه دچار شکست بهمنی می شود. ۳. جریان در ناحیه اشباع ثابت نمی باشد. ۴. برای کار در ناحیه اشباع، باید GS - \/t/\ ک VDS باشد. ۱۱- اگر برای گیت NAND که با منطق RTL پیاده سازی شده است Wce (sat)=0.17 Volt و VaE(FA)=0.7 Volt باشد حداکثر تعداد ورودی های مجاز گیت چقدار می شود؟
* : * * : * © . Y. % 。い
۱۲- ماکزیمم ظرفیت خروجی برای یک گیت RTL با Vce=5 Volt و Re=1 K و RB=10 K چقدر است؟ (Var (sat) = Var (FA) =0.8v, Vee (sat) = 0.2v, 6, = 25 )
z . f 人.* \ Y Y \ . . )
۱۳- توان مصرفی در یک گیت RTL پایه در حالت بدون بار چقدر است؟ فرض کنید: VBE(sat)=0.8 Volt 9 VCE(sat)=0.2 Volt · BF=25 «RB=10 K .Rc=1 K .Vcc=5 Volt 30mW f 24mW . Y. 10mW . Y. 12mV . )
۱۴- توان مصرفی در یک گیت RTL پایه در حالتی که یک بار به خروجی آن وصل شده باشد چقدر است؟ .VBE(sat)=0.8 Volt 9 Vce(sat)=0.2 Volt •ßp=25 ·RB=10 K · Rc=1 K Vcc=5 Volt +:$ , ya yÃ
14.22nnW . to 10mW . Y. 11.94mW . Y. 12.96m W . )
صفحه ۳ از ۱۰
1010/1010638 = نیمسال دوم ۹۱-۱۳۹۰
***
. . .
藥 = دانشگاه پیام نور کارشناسی مرکز آزمون و سنجش حضرت علی(ع): ارزش هر کسی به میزان دانایی و تخصصی اوست تعداد سوالات : تستی : ۲۵ تشریحی : ۵ زمان آزمون (دقیقه) : تستی : ۶۰ تشریحی : ۶۰ سری سوال : یک ۱ عن-وان درس : مبانی الکترونیک دیجیتال رشته تحصیلی / کد درس : مهندسی فناوری اطلاعات، مهندسی فناوری اطلاعات (چند بخشی ) ۱۵۱۱۰۰۵ ۱۵- اگر در NAND دو ورودی نوع DTL هر دو ورودی در سطح بالا باشند، جریان بیسی ترانزیستور C چقدر است؟ V_ _(4V) CC Vജ്ജ * R (4.Kg2 ) R (2.Kg2) 3 Ꭰ C 1 D 3 4 Ү _Y | | | - А о—4 Pi—P. Q во 4— R (SKQ) 2 -V =(-2v) BB 0.31mA . [. 0.6mA . Y° 0.41mA . Y. 0.21mA . )
۱۶- اگر در NAND دو ورودی نوع DTL (شکل زیر) هر دو ورودی در سطح بالا باشند، 8 ترانزیستور C چقدر است؟ (Ver (sat) = 0.2v)
V (4V cc. ) Исg
* R (4KQ )
R (2K೧) 3
R (5KQ во—4— (SK೧)
А о—4 ده o
-V =(-2v) BB
γ/Δ . * * . Y ү]ү . W. jor نیمسال دوم ۹۱-۱۳۹۰ = صفحه )・い・ハ・Y・%YA***