. . .
: کارشناسی --- - - - - டிய கள்: مرکز آزمون و سنجش حضرت علی(ع): ارزش هر کسی به میزان دانایی و تخصصی اوست 7تعداد سوالات : تستی : ۲۴ تشریحی : ۵ زمان آزمون (دقیقه) : تستی : ۶۰ تشریحی : ۶۰ سری سوال : یک ۱
عن-وان درس : VLSI طراحی سیستمهای
رشته تحصیلی / کد درس : مهندسی کامپیوتر (سخت افزار) چند بخشی ۱۱۱۵۲۰۵
استفاده از ماشین حساب ساده ، ماشین حساب مهندسی مجاز است ۱- تعداد die در ویفری به قطر 16cm با فرض آنکه اندازه die برابر 70mm باشد، کدام است؟( 3 = Zr)
275 . . 234 . Y. 196 Y 158 . )
۲- منحنی I/V برای یک ترانزیستور در شکل زیر نشان داده شده است. ضریب مدولاسیون طول کانال برای این ترانزیستور
کدام است؟ 80 η Α **a -ס "ص+ے "bs 42*a Z 00 v 1 W. 2 v 3 v 4-w 5.W. 6V 0.167 . * 0.33 . Y. 0.66 . Y 1.33 . )
۳- برای ساخت خازنی از فناوری CIIIOS استفاده شده است. بدین منظور، سطوح فلزی گیت و زیر لایه به عنوان صفحات خازن به کار می روند. اگر ضخامت اکسید بین 20nm تا 100nm باشد و صفحات خازن مربعی باشند و بخواهیم ظرفیت خازن مزبور 1pF باشد، مینیمم ابعاد آنها چقدار می باشد؟( F/cm * 10× 3.5 = ( ع )
16.9/m . * 53.45um . r 23.9/um Y 2.85mm . )
۴- ولتاژ خروجی در شکل زیر کدام است؟
...... Woo * ും-l "oo سس گ Yod W. V,,,, -4V, to V,,,, -3V, . Y. V,,,, -2V, 。ャ V,,,, -V ... )
\•\• |\•\•\ኝጻየ
نیمسال دوم ۹۱-۱۳۹۰ صفحه ۱ از ۱۱




***
. . .
藥 = دانشگاه پیام نور کارشناسی --- - - - - டிய கள்: مرکز آزمون و سنجش حضرت علی(ع): ارزش هر کسی به میزان دانایی و تخصصی اوست تعداد سوالات : تستی : ۲۴ تشریحی : ۵ زمان آزمون (دقیقه) : تستی : ۶۰ تشریحی : ۶۰ سری سوال : ۱ یک عن-وان درس : طراحی سیستمهای VLSI
رشته تحصیلی / کد درس : مهندسی کامپیوتر (سخت افزار) چند بخشی ۱۱۱۵۲۰۵
۵- منحنی مشخصه انتقالی وارونگر CIIIOS ای در شکل زیر نشان داده شده است. کدام گزینه در مورد وارونگر صحیح می باشد؟
0.5V
i 0.9W 19W ve VDD
Y ... ) 25), > (%), , NM, -3.1, NM, -0.9 25), > (o), , NM, =0.5, NM, -0.5
f . Y. 25), > (%). , NM, = 0.9, NM, = 3.1 25), > (%). , NM, = 3.1, NM, =0.9
۶- یک وارونگر دارای تاخیرهای انتشار Շքբլ = Շքլթ = 1n S در هنگام درایو شدن با پالسی ورودی با زمان های شیب افت و
خیز صفر می باشد. برای شکل موج ورودی زیر ///Z p و p ۶ خروجی کدام است؟
4 б 8 10
0. tput = 1.05ns, tp n = 1.25ns V Tout = 2ns, Term = Ins "" tput = 1.45ns, Tp,a = 1.07ns : * tput = 1.28ns, tp n = 1.08ns "
\•\• |\•\•\ኝጻየ
نیمسال دوم ۹۱-۱۳۹۰ صفحه ۲ از ۱۱



***
. . .
藥 = دانشگاه پیام نور کارشناسی --- - - - - டிய கள்: مرکز آزمون و سنجش حضرت علی(ع): ارزش هر کسی به میزان دانایی و تخصصی اوست تعداد سوالات : تستی : ۲۴ تشریحی : ۵ زمان آزمون (دقیقه) : تستی : ۶۰ تشریحی : ۶۰ سری سوال : ۱ یک عن-وان درس : طراحی سیستمهای VLSI
رشته تحصیلی / کد درس : مهندسی کامپیوتر (سخت افزار) چند بخشی ۱۱۱۵۲۰۵
W— کدام گزینه در مورد مدارهای زیر صحیح است؟(نسبت }* در هر دو مدار برابر می باشد)
۱. مدار A دارای زمان پایین رونده سریعتری در مقایسه با مدار B می باشد. ۲. مدار B دارای زمان پایین رونده سریعتری در مقایسه با مدار A می باشد. ۳. مدار A دارای زمان بالا رونده سریعتری در مقایسه با مدار B می باشد.
۰۴زمان بالارونده مدار A برابر با زمان بالارونده مدار B می باشد.
۸- کدام گزینه صحیح می باشد؟ ۱. در ترانزیستورهایی که از خطوط تغذیه دورتر می باشند، احتمال وقوع پدیده قفل شدگی بیشتر می باشد. ۲. با کاهش مقاومت RWell و RSub در CnlOS احتمال وقوع پدیده قفل شدگی بیشتر می شود. ۳. یکی از راههای جلوگیری از پدیده قفل شدگی قرار دادن یک لایه رونشستی با آلایش زیاد بر روی زیر لایه با آلایش کم می باشد. آ، استفاده از حلقه های محافظ در CIIIOS باعث افزایش بهره ترانزیستورهای دو قطبی عامل پدیده قفل شدگی می شود.
۹- در مدار شکل زیر اگر C = 4 DF و C = 10/F و تاخیر وارونگر حداقل اندازه برای تحریک یک وارونگر حداقل اندازه 1n Sec باشد، اl و تاخیر انتشار کلی کدام است ؟
(1ff = 10" F) %, % 2 2u --* یاری 1 tl —L Сі-і- =CI, 20,40n sec , f 20,20n sec . Y 40,20n sec . Y 10,10n sec . ) ۱۰۱۰/۱۰۱۰۱۶۹۴ = نیمسال دوم ۹۱-۱۳۹۰ = صفحه ۳ از ۱۱
***
. . . 藥 = دانشگاه پیام نور
کارشناسی --- - - - டிய கள்: مرکز آزمون و سنجش حضرت علی(ع): ارزش هر کسی به میزان دانایی و تخصصی اوست تعداد سوالات : تستی : ۲۴ تشریحی : ۵ زمان آزمون (دقیقه) : تستی : ۶۰ تشریحی : ۶۰ سری سوال : ۱ یک عن-وان درس : طراحی سیستمهای VLSI
رشته تحصیلی / کد درس : مهندسی کامپیوتر (سخت افزار) چند بخشی ۱۱۱۵۲۰۵
"تابع ( F (A , B , C, D, E) = (A + B + C).(D + E معادل کدام روش نوشت گذاری زیر است؟
ΟΑΙ 32. * ΟΑ32. " OA II 311 . Y Α Ο 311. - W ー - * —\\ در مدار شکل زیر بافرضی آنکه ا= (r) باشد، برای عملکرد صحیح و متقارن مدار کدام گزینه صحیح است؟ ն» *4– -: s— ks |醬)-()-墨{ - 鷲)-()- - L儿 L/ 2\L火。4 L为 \ L/ " L七 |豐)-()= - 鷺)-(豐)-禮 - L为 \ L/ ” L火 L JB \ L JA \, L C
۱۲- کدام گزینه صحیح نمی باشد؟ ۱. توان مصرفی مدارهای BiCMOS کمتر از مدارهای CMOS می باشد. ۲. جریان دهی مدارهای BiCMOS بیشتر از مدارهای CMOS می باشد. ۳. پیچیدگی مدارهای BiCMOS بیشتر از مدارهای CMOS می باشد.
۴. تاخیر مدارهای BiCMOS کمتر از مدارهای CMOS می باشد.
\•\• |\•\•\ኝጻየ
نیمسال دوم ۹۱-۱۳۹۰
صفحه ۴ از ۱۱***