WWWy 20FIL E. ORG . \ /: - انشتا» پیام تور کارشناسی = s". দ্বাক্ষ مر=حا-ز آزمون و سنجش
«А:»» - -
تعداد سوالات : تستی : ۲۵ تشریحی : ۵ زمان آزمون (دقیقه) : تستی : ۶۰ تشریحی : ۶۰ سری سوال : یک ۱ عن-وان درس : الکترونیک دیجیتال
رشته تحصیلی / کد درس : مهندسی کامپیوتر (سخت افزار) ۱۱۱۵۲۰۲ استفاده از ماشین حساب مهندسی مجاز است ۱- ظرفیت خروجی یک گیت با مشخصات روبرو چیست؟ Iout(L)=30mA Iout(H)=50mA Iin (L)= 1 mA Iin (H)= 50 |ն A
۱۰۰۰ .۴ ו. "וץ" Y.. .Y
۲- کدام گزینه در مورد پیوند P-N درست است؟
. با افزایش ولتاژ بایاسی مستقیم عرضی ناحیه تهی کاهش و با افزایش ولتاژ بایاسی معکوس این عرضی افزایش می یابد. با افزایش ولتاژ بایاسی مستقیم عرضی ناحیه تهی افزایش و با افزایش ولتاژ بایاسی معکوس این عرضی کاهش می یابد. . با کاهش ولتاژ بایاسی مستقیم عرضی ناحیه تهی کاهش و با افزایش ولتاژ بایاسی معکوس این عرضی کاهش می یابد. . با توجه به چگونگی قرار گرفتن دیود هر کدام از گزینه ها ممکن است رخ دهد. ۳- در مدار معکوس کننده شکل روبرو مقدار VOH و VOL به ترتیب چه مقدار است؟
ફેં R =9K - +
—; yo Vi
R =1k on
- --
Vol.-0.5 s VoII–4.5 Y VoI-O 3 VoII–4.5 . )
VoI-0.5 s VoII-5 VoI-0 VoH-5 v
V ()ץ"ץ"ץ. ו. ון. ו. ו
نیمسال دوم ۹۴-۱۳۹۳ = صفحه ۱ از ۱۱
***
WWWy 20FIL E. ORG . የማየ/: - انشتاه پیام نور کارشناسی =
«А:»» مر=ح--ز آزمون و سنجش
SN 丝
-
Z ད༽ངོ་
o
|
-
تعداد سوالات : تستی : ۲۵ تشریحی : ۵ زمان آزمون (دقیقه) : تستی : ۶۰ تشریحی : ۶۰ سری سوال : ۱ یک عن-وان درس : الکترونیک دیجیتال
رشته تحصیلی / کد درس : مهندسی کامپیوتر (سخت افزار) ۱۱۱۵۲۰۲
۴- مدارات زیر چیست؟
Voc Voc Φ ζ) 李F 李5 DA DA VA—+ve—#4––o Ve-Ko D D В В R
مدار (ب مدار ۱ الف J -VCC )+( ر (الف)
۱. مدار (الف) گیت AND دیودی و مدار (ب) AND دیودی با سطح انتقال یافته.
. مدار (الف) گیت OR دیودی و مدار (ب) AND دیودی با سطح انتقال یافته.
ャ
۳. مدار (الف) گیت AND دیودی و مدار (ب) ORدیودی با سطح انتقال یافته. ۴. مدار (الف) گیت OR دیودی و مدار (ب) OR دیودی با سطح انتقال یافته. ۵- کدام گزینه درباره ی MOSFET اشتباه است؟ ۱. ساختار آن متقارن است ۰۲ ولتاژ اعمال شده به گیت عبور جریان را کنترل میکند. ۳. به علت وجود عایق SiO۲ جریان پایه درین بسیار کم است.
۰۴ جریان تنها با یک حامل ایجاد می شود.
۶- کدام گزینه در مورد ترانزیستورهای NMOS 9 PMOS صحیح نیست؟
۱. در CMOS هر دو ترانزیستور PMOS و NMOS استفاده می شود. ۲. ترانزیستورهای NMOS سریعتر کار میکنند. ۳. در PMOS ولتاژ آستانه (Vt) منفی است.
۴. NMOS ولتاژ تغذیه بیشتری نسبت به PMOS دارد.
- V ()ץ"ץ"ץ. ו. ון. ו. ו نیمسال دوم qY"—AY"\\ = صفحه ۲ از ۱۱***
- d oth . WWW20FILE.ORG علی دانشحه پیام نو، کارشناسی «А:»» مر=حا-ز آزمون و سنجش দ্বাক্ষ تعداد سوالات : تستی : ۲۵ تشریحی : ۵ زمان آزمون (دقیقه) : تستی : ۶۰ تشریحی : ۶۰ سری سوال : ۱ یک
عن-وان درس : الکترونیک دیجیتال
رشته تحصیلی / کد درس : مهندسی کامپیوتر (سخت افزار) ۱۱۱۵۲۰۲
۷- مدار زیر مربوط به کدام تابع است؟
(A+B).C (AB+C) " (AC + B) Y (A+C).B : )
۸- کدام تابع مربوط به مدار زیر است؟
-- 89>-[ Eحبهه Dاهه
(CD+ AB+E) " (CD+(A+B)+E) '
t
((C+D)+ A.B.-- E) (cd. AB + E) ' ۹- کدام مورد درباره ی ترانزیستورهای آلB غلط است؟
۱. عرضی بیس را معمولا کوچکتر می سازند. ۲. غلظت امیتر را معمولا پایین می گیرند.
۲. عرضی کلکتور را بزرگتر می سازند. آن در حالت فعال پیوند بیس امیتر در بایاس مستقیم است.
ای ۱۰۱۰/۱۰۱۰۳۳۲۵۷
نیمسال دوم ۹۴-۱۳۹۳ = صفحه ۳ از ۱۱***
- d oth . WWW20FILE.ORG علی دانشحه پیام نو، کارشناسی «А:»» مر=حا-ز آزمون و سنجش দ্বাক্ষ
تعداد سوالات : تستی : ۲۵ تشریحی : ۵ زمان آزمون (دقیقه) : تستی : ۶۰ تشریحی : ۶۰ سری سوال : ۱ یک عن-وان درس : الکترونیک دیجیتال
رشته تحصیلی / کد درس : مهندسی کامپیوتر (سخت افزار) ۱۱۱۵۲۰۲
۱۰- مدار زیر مربوط به کدام گیت RTL است؟
VCC
NAND . f AND . Y. OR . Y. NOR . )
۱۱- برای گیت NAND که با منطق RTL پیاده سازی شده است، اگر 0.12=V (CE)Sat و 0.7=(V (BE باشد، حداکثر تعداد ورودی های مجاز گیت کدام گزینه ست؟
; : * (N . Yo f . Y. Y. . ) ۱۲- در مدار روبرو ترانزیستور در چه ناحیه ای قرار دارد و جریان کلکتور چند میلی آمپر است ؟ /3 = 100 Ver (sat) = 0.2 R=0.2Κ JZ.„ = 0.7 BE R=1K + + WᏙᎳ [. -- 10V 1V + - ۱. فعالی - ۳۰ ۲. فعال - ۴۹ ۳. اشباع - ۳۰ ۴. اشباع - ۴۹ ای ۱۰۱۰/۱۰۱۰۳۳۲۵۷
نیمسال دوم ۹۴-۱۳۹۳ = صفحه ۴ از ۱۱
***